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TXRF (全反射蛍光X線分析)

Analytical Resolution versus Detection Limit
分析アプリケーション

全反射蛍光X線分析（TXRF）とは？

全反射蛍光X線(Total Reflection X-ray Fluorescence)は、X線を非常に低い角度で試料表面（ウエハ表面）に入射すると、X線が試料表面で全反射されることを利用して、試料表面の金属汚染を分析する方法です。

図

TXRF分析の特長と制約

■ 特長
  • 汚染元素の定性分析（サーベイ分析）が可能である
  • 定量、高感度分析である
  • 非破壊分析である
  • 高速/自動分析である
  • フルウエハ分析(300 mmウエハまで対応)が可能である
  • ２次元マッピング分析が可能である
■ 制約
  • アルカリ金属やAlは分析できない(Li, Na, K, Al)
  • 深さ情報(デプスプロファイル)は得られない
  • スポットサイズは約φ10 mmである
  • 高感度分析では研磨した表面が必要である
  • ウエハエッジから10mm程度は分析できない

ターゲット(X線源)の選択

ターゲット(X線源)の選択図

分析事例1：ウエハのマッピング分析

TXRF分析はマッピング分析を行うことが可能です

ウエハのマッピング分析図

分析事例2：化合物半導体ウエハ表面の分析

TXRF分析は様々な基板を分析することが可能です

化合物半導体ウエハ表面の分析図

■ 分析事例3：イオン注入前後のウエハ表面汚染の比較

イオン注入前後のウエハ表面汚染の比較図

TREX 630-T TXRF Results(Units of 1e10 atoms/cm2)

  S CL K Ca Ti Cr Mn Fe N Cu Zn
Control Wafer
Center		 125±11 118±9 < 10 < 10 < 1.1 < 0.6 < 0.5 0.4±0.2 < 0.3 < 0.3 < 0.4
Implant Wafer
Center		 270±19 390±20 < 10 < 10 < 0.9 1.5±0.3 < 0.4 6±0.5 < 0.3 <0.5 0.7±0.2
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