不純物分析
- SIMS (二次イオン質量分析)
- GDMS (グロー放電質量分析)
- ICP-OES (高周波誘導結合プラズマ発光分析)
- LA-ICP/MS (レーザー照射型 誘導結合プラズマ質量分析)
- IGA (ガス成分分析)
- TOF-SIMS (飛行時間型二次イオン質量分析)
- TXRF (全反射蛍光X線分析)
- LEXES (低エネルギーX線分析)
- SRP (広がり抵抗測定)
- GCMS (ガスクロマトグラフ質量分析)
組成分析
形態観察 / 構造解析
ORS社分析サービス
SRP (広がり抵抗測定)
広がり抵抗測定とは？
広がり抵抗測定は基板やデバイスを斜め研磨し、その研磨面に2本の探針をコンタクトさせ、探針間の抵抗（広がり抵抗）を測定し、その抵抗値から抵抗率(Ωcm)とキャリア濃度(cm-3)に換算し、深さ方向分布を求める分析方法です。
探針間の大半の電圧降下は、探針の接触点近傍の抵抗率を反映するため、微小な領域の測定が可能です。そのため、拡散層、エピタキシャル層、バルク中の深さ方向分布測定や低濃度の汚染の有無の確認などに広く用いられています。
測定可能な半導体材料はシリコンとゲルマニウムです。化合物半導体材料（SiCやGaNなど）は測定できません。
分析事例1：バイポーラトランジスター
分析事例2：Asイオン注入Si基板
