不純物分析
- SIMS (二次イオン質量分析)
- GDMS (グロー放電質量分析)
- ICP-OES (高周波誘導結合プラズマ発光分析)
- LA-ICP/MS (レーザー照射型 誘導結合プラズマ質量分析)
- IGA (ガス成分分析)
- TOF-SIMS (飛行時間型二次イオン質量分析)
- TXRF (全反射蛍光X線分析)
- LEXES (低エネルギーX線分析)
- SRP (広がり抵抗測定)
- GCMS (ガスクロマトグラフ質量分析)
組成分析
形態観察 / 構造解析
ORS社分析サービス
SIMS (二次イオン質量分析)
SIMS (Dynamic SIMS)
特徴：高感度分析。深さ方向分析。全元素の分析が可能。
| 定量分析 | 検出感度 | 化学結合状態 | 破壊測定 | 空間分解能/ビーム径 | 深さ分解能 |
|---|---|---|---|---|---|
| Yes | 1012-1016at/cc | No | Yes | 10µm | 2〜30nm |
SIMSの特長(Dynamic SIMS)
- 高感度！：検出下限値：1E12～1E16 at/cm3
- 検出濃度範囲が広い： マトリックス元素から極微量不純物まで
- 標準試料を用いて、定量分析可能
- 全元素の検出が可能：H 〜 U
- 同位体の測定が可能。
- 良い深さ方向分解能：2nm程度(ベストな場合)
- 測定できる膜厚範囲が広い："数nmから 数10μｍまで。
SIMS 分析の原理
■ 一次イオン種
酸素 (O2+) 又は セシウム (Cs+) 一次イオンを使用。 フォーカスさせた（通常 2～20 μmビーム径 ）の一次イオンビームを四角にラスター（スキャン)させて材料をスパッタリングする。 ラスター面積は、通常数100 μm～数10μm角。
■ 二次イオンの検出
ラスター領域から発生した二次イオンの内,中心領域のみを検出する。 その領域サイズは、φ30～150 um。（感度や試料状況で調整)二次イオン系（電場、磁場）で質量分離されたのち、検出器（ファラデーカップ又はエレクトロンマルチプライヤー）で検出。
元素の検出：O2+、Cs+ 一次イオン源と検出イオン種
SIMS 装置例：セクターSIMS vs Q-pole SIMS
試料ホルダーと試料サイズ
深さ方向分析
EAGのSIMSの特徴(装置)
26台のセクターSIMS,18台のQ-pole装置を保有、材料毎に区分された高感度SIMS装置
- Si及関連材料（SiO2,SiN…）
- III-V (GaAs, InP, GaN, ..)
- SiC and II-VI (HgCdTe, ZnSe ..)
- Metal film (Cu,Ti, W, Al,…)
- SurfaceSIMS and Surface XP
- ULE implant profiling
- 太陽電池材料関連(PV-Si, CIGS…)
- FPD材料関連(有機EL等…)
EAGのSIMSの特徴(標準試料)
豊富な標準試料の種類
Si, SiO2, SiN, SiC, ZnSe, diamond, Ge, GaN, GaAs, InP, HgCdTe, LiNbO3, ZnS, Cu,Cr, Pt, Ti, TiN, W,,TiW, TiSi, Ta, Ta2O5, TaN, Al, ZnO, ZrO, HfO, など
- ニーズの応じて新しい標準試料を作成します。
- EAGでは標準試料の販売も行っています。
