不純物分析
- SIMS (二次イオン質量分析)
- GDMS (グロー放電質量分析)
- ICP-OES (高周波誘導結合プラズマ発光分析)
- LA-ICP/MS (レーザー照射型 誘導結合プラズマ質量分析)
- IGA (ガス成分分析)
- TOF-SIMS (飛行時間型二次イオン質量分析)
- TXRF (全反射蛍光X線分析)
- LEXES (低エネルギーX線分析)
- SRP (広がり抵抗測定)
- GCMS (ガスクロマトグラフ質量分析)
組成分析
形態観察 / 構造解析
ORS社分析サービス
LA-ICP/MS (レーザー照射型 誘導結合プラズマ質量分析)
LA-ICP/MSの原理
固体試料に対しレーザーを照射し、そのエネルギーで照射部分を蒸発・微粒子化させる。
LA-ICP/MSの特徴
- 微量レベルから主成分に近い高濃度レベルまでの測定が可能。
- 周期律表の大部分の元素の測定が可能。(例外元素；C, N, O, F, Ne, Cl, Ar, Br, Kr, Tc, Xe, Pm,Po, At, Rn, Fr, Ra, Ac, Pa)
- 試料全体を溶液化できない場合、または局部的に測定したい場合に有効。
- 深さ方向分解能：～1μm
- 前処理を必要とせず、非破壊に近い測定が可能。
LA-ICP/MSによるラインスキャン分析
LA-ICP/MSによる内包成分分析
