不純物分析
- SIMS (二次イオン質量分析)
- GDMS (グロー放電質量分析)
- ICP-OES (高周波誘導結合プラズマ発光分析)
- LA-ICP/MS (レーザー照射型 誘導結合プラズマ質量分析)
- IGA (ガス成分分析)
- TOF-SIMS (飛行時間型二次イオン質量分析)
- TXRF (全反射蛍光X線分析)
- LEXES (低エネルギーX線分析)
- SRP (広がり抵抗測定)
- GCMS (ガスクロマトグラフ質量分析)
組成分析
形態観察 / 構造解析
ORS社分析サービス
GDMS (グロー放電質量分析)
GDMSの原理及び特徴
固体試料を陰極としグロー放電を用いて試料表面をスパッタし、放出された中性粒子をプラズマ内のArや電子との衝突によってイオン化させる。
- 周期律上で安定同位体を持つ殆どの元素(Li-U)の測定が可能
- 多くの元素に対し、ppb-%レベルの測定が可能
- マトリックス効果が小さく、標準試料の無い未知の材料でも定量分析に近い半定量分析が可能
- 粉末, ワイヤー, 薄膜等、様々な形態でも補助材料を用いる事で直接測定が可能
- 導電性を確保する事で、半導体材料や絶縁物でも直接測定が可能
GDMS装置構成 -VG9000-
測定対象試料
- 高純度金属
- 合金
- カーボン及び黒鉛製造品
- 各種半導体材料
- 酸化物, 炭化物, 窒化物, 硫化物等のセラミックス
- 太陽電池用シリコン ⇒ 事例紹介
- レアメタル, レアアース
- 主成分不確定な未知の材料
メガセル(ピンセル)方式
分析に適した試料形状 −メガセル方式−
スパッタ領域全てを見る事が出来るため、バルクとしての試料情報を得るのに適している
フラットセル方式
分析に適した試料形状 −フラットセル方式−
- 薄いフイルム状や平らな表面のサンプルに効果的
- 基板上の薄膜も分析可能（最低数umの厚さが必要）
- 深さ方向分析が可能
粉末及び不定形試料の場合
Pin Cell方式またはFlat Cell方式どちらでも分析可能
＊必要試料量：数-10g
TaまたはInの補助材料を用いる事で試料を固定し測定可能
Ta二次電極を用いた石英試料の測定例
Inの補助を用いたNb2O5粉末試料の測定例
Ni超合金基板のバルク分析及び深さ方向濃度分析
