不純物分析
組成分析
- RBS/HFS/PIXE/NRA(ラザフォード後方散乱分析/水素前方散乱分析/粒子励起X線分析/核反応分析)
- XPS/ESCA (X線光電子分光分析)
- TEM-EDS (透過型電子顕微鏡)
- SEM-EDS (走査型電子顕微鏡)
- XRR (X線反射率測定)
- AES, 300mm wafer AES (オージェ電子分光分析)
形態観察 / 構造解析
ORS社分析サービス
AES, 300mm wafer AES (オージェ電子分光分析)
AES
特徴：300mm ウエハまで対応可能。非破壊分析。微小領域分析
| 定量分析 | 検出感度 | 化学結合状態 | 破壊測定 | 空間分解能/ビーム径 | 深さ分解能 |
|---|---|---|---|---|---|
| Yes | 0.1-1.0at% | 一部可 | No（非破壊） | 0.01-2µm | 2-20nm |
Wのエッチバックプロセスのパーティクル汚染
■ オージェスペクトルより下記のことがわかる
- パーティクル汚染はTiとAlから構成されている
- Siウェーハは薄いTi膜で覆われている
ＦＩＢ断面のAES分析
Poly-Si/Wの堆積、パターニング後のパーティクル汚染分析
AESマップより下記のことがわかる
- サブミクロンサイズの酸化物パーティクル
- パーティクルの周囲はＳｉで覆われている
- Poly-Siを堆積中にパーティクルが発生した
- パーティクルはＷで覆われている
