表面分析サービス一覧
| 分析手法 | 分析特徴 | 分析対象元素 | 検出限界 | 深さ分解能 |
|---|---|---|---|---|
| SIMS (Magetic Sector タイプ） |
不純物深さ方向分析 微小部深さ方向分析 |
H-U | 1012-1016 at/cm3 | 2-30nm |
| SIMS (Q-pole タイプ） |
不純物深さ方向分析 極薄膜・極浅領域深さ方向分析 絶縁物分析 |
H-U | 1013-1017 at/cm3 | <5nm |
| TOF-SIMS (Time-Of-Flight タイプ) |
有機物及び無機物の 最表面局所分析 元素マッピング |
H-U Molecular Groups |
108-1011 at/cm2 | 1-3 monolayers (Static mode) |
| GDMS | 金属・半導体及び絶縁物中の 極微量不純物分析 |
Li-U | 10pptwt-100% | |
| IGA | H,C,N,O,S濃度評価 | H,C,N,O,S | 0.1ppm-50% | |
| LA-ICP/MS | 極微量不純物分析 不純物深さ方向分析 |
Li-U | 10ppbwt-100% | 5～100μm (深さ方向分析) 3nm (表面分析) |
| AES (with Zalar Rotation) FE-AES Wafer-AES (200mm対応) |
表面元素分析 深さ方向高分解能分析 極微小領域分析 |
Li-U | 0.1-1 at% | 2-20nm (深さ方向分析) 3nm (表面分析 ) |
| XPS/ESCA (with Zalar Rotation) |
有機物及び無機物表面分析 深さ方向分析 |
Li-U | 0.01-1 at% | 2-20nm (深さ方向分析) 1-10nm (表面分析) |
| RBS | 薄膜組成分析及び結晶性評価 | B-U 軽元素(C,N,O,Li,10B,11B 等) S-U |
RBS: 0.001-10 at% NRA: >1x1014 at/cm2 PIXE: 原子番号依存 |
5-20nm (±1nm precision) ------ ------ |
| NRA | ||||
| PIXE | ||||
| HFS | 薄膜中のH定量分析 | 1H, 2H | 0.1 at% | 30nm |
| FIB/EDS | 断面加工及び元素分析 （Cu配線断面等) |
B-U (EDS mode) | 1 ｗt% | 0.5-1.5nm (二次電子) <2μm (反射電子) |
| SEM/EDS | イメージング 微小部元素分析 |
B-U (EDS mode) | 1 wt% | 0.5-3μm (EDS) |
| FE SEM (In lens タイプ) |
超高分解能観察 | |||
| AFM/SPM | 原子レベルの表面3次元イメージ 磁場、グレインサイズ、容量 |
0.01nm | ||
| TXRF | 半導体ウエハ表面の 金属汚染分析 |
S-U | 109-1012 at/cm2 | 3-8nm |
| μ-FTIR | ポリマー、有機膜、パーティクル、コンタミの同定 | Molecular Groups | 0.1-1wt% | 0.1～2.5μm |
| SRP | 半導体中の キャリア濃度分布測定 |
抵抗率：10-3～104（Ωcm） | 数nm〜数10nm (研磨角度に依存) | |
| LEXES | 注入ドーズ量及び薄膜組成分析 (300mmウエハまで対応可、非破壊分析) |
Be～U | ～5E13 atoms/cm2 | ～500nmまで（情報深さ） |
| XRR | 薄膜の膜厚及び密度測定 (300mmウエハまで対応可、非破壊分析) |
0.1nm | ||
| TEM/EDS | 結晶分析、格子像観察、微小部元素分析 | B-U | 1wt％ | 30～100nm（観察試料に依存） |
| STEM/EDS | イメージング、Zコントラスト、 元素マッピング |
B-U | 1wt% | 30～100nm（観察試料に依存） |
| Raman | 有機及び無機汚染の同定 結晶性評価、Si応力 カーボン膜の キャラクタリゼーション |
化学・分子情報 | ≧1wt% | 1～5μｍ（共焦点モード） |
| XRD | 結晶相/結晶方位/結晶性評価 | H-U | 1at% | 5-20μm |
