分析手法別アプリケーション一覧
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不純物分析（定量、定性、面内分布、キャリア濃度、汚染、有機物など）
■ SIMS (二次イオン質量分析)
- Cu材料デバイスの材料特性評価 AN192
- SIMS を用いたSiC材料中の不純物分析（検出下限値一覧） AN337
- SIMS を用いたHgCdTe材料中の不純物分析（検出下限値一覧） AN338
- SIMS を用いたSi、SiO2材料中の不純物分析（検出下限値一覧） AN339
- SIMS を用いた微小デバイスパターン中の不純物プロファイル評価 AN343
- SIMS を用いた絶縁物材料（酸化膜、ガラス）中の金属不純物プロファイル評価 AN356
- SIMS を用いたSiC材料の高精度不純物（B,Al,N )プロファイル評価 AN357
- SIMS を用いたSiC材料の高精度不純物濃度評価 AN358
- SiGe 構造中の高精度As不純物プロファイル評価 AN359
- SIMS を用いた微小SiGeデバイスパターン中の不純物プロファイル評価 AN360
- TXRF,Surface SIMSを用いた表層汚染分析 AN363
- SIMS を用いたInP材料中の不純物分析（検出下限値一覧） AN369
- SIMS を用いたGaN材料中の不純物分析（検出下限値一覧） AN370
- SIMS を用いたGaAs材料中の不純物分析（検出下限値一覧） AN371
- SIMS を用いた化合物半導体材料の各組成構造を補正した不純物深さ方向濃度プロファイル評価 AN372
- SIMS を用いた化合物半導体材料中不純物のプロセスコントロール AN373
- SIMS を用いた化合物半導体材料デバイスの高精度深さ方向不純物プロファイル分析 AN374
- 裏面（バックサイド）SIMS分析によるAlGaAsレーザーダイオードデバイスの高精度不純物プロファイル分析 AN386
- 裏面（バックサイド）SIMS分析によるレーザーダイオードデバイス界面不純物の高精度プロファイル分析 AN387
- SurfaceSIMS を用いた表層不純物のプロセス汚染評価 AN393
- SIMS を用いたSiGe構造中Bプロファイルの一次イオンによる影響調査（Csイオン、酸素イオン） AN401
- SIMS を用いた歪構造デバイス（Si/SiGe)の高精度深さ方向不純物プロファイル分析 AN408
- SIMS を用いたNドープCz-Si結晶中N濃度の長期再現性評価 AN411
- 裏面(バックサイド）SIMS分析 AN418
- 化合物半導体実デバイス開封処理によるSIMS評価 AN419
- SIMS を用いたZnO材料中の不純物分析（検出下限値一覧） AN426
- SIMS を用いたアモルファスSi材料中の不純物分析 AN427
- SurfaceSIMS を用いたパターン付デバイス表層不純物のプロセス汚染評価（検出下限値一覧） AN428
- SIMS を用いたLow-k材料の不純物プロファイル評価 AN433
- PCOR SIMSを用いた極表層のシャローBoronプロファイル評価 AN434
- PCOR SIMSを用いた極浅い高濃度プラズマBoronイオン注入の正確な定量 AN435
- SIMS を用いた4インチSiCウェハの不純物プロファイル分析 AN436
- SIMS を用いたSiC微小粒子中の深さ方向濃度分析 AN437
- PCOR SIMSを用いた極低エネルギーBoronイオン注入のシャロープロファイル評価 AN438
- SIMS を用いたHgCdTeエピ構造中の不純物プロファイル評価 AN442
■ TOF-SIMS (飛行時間型二次イオン質量分析)
- クリーンルーム環境下の有機物汚染 AN182
- Cu プロセス技術における各種評価法 AN192
- CMP 工程におけるCu残量汚染の評価 AN361
- TOF- SIMSによるフルウエハ分析（8インチウエハ） AN368
- 試料表面の有機汚染 AN378
- TOF- SIMSによるゲート絶縁膜（SiON）中のＮ深さ方向分布 AN414
- フラットパネルディスプレイ工程におけるTOF-SIMSの分析事例 AN443
- 表面近傍領域における未知の汚染元素の同定 BN1214
- TOF- SIMSによるプリント用紙の断面観察 BN1355
- ミクロトーム加工試料(自動車塗装)の断面観察 BN1399
- 薬品工業分野におけるTOF-SIMSによる元素マッピングの応用例 BN1410
- 生体組織における凝結物の同定 BN1505
■ GDMS (グロー放電質量分析)
- PV向けCdTe/CdS粉末試料中の元素評価 AN454
- グロー放電質量分析について TN102
■ TXRF（全反射蛍光X線分析)
- Cuプロセス技術における各種評価法 AN192
- TXRF及びサーフェスSIMSによるSiウエハ表面の金属汚染評価 AN363
組成分析（組成、膜厚、密度、結合状態、微小異物、マッピングなど）
■ RBS/HFS/NRA/PIXE（ラザフォード後方散乱分析/水素前方散乱分析/粒子励起X線分析/核反応分析）
- NRA(核反応分析)を用いたLi，B,C,N,O及びF測定例 AN381
- イオンチャネリングを用いた結晶性ダメージ評価の測定例 AN382
- RBS及びNRAを用いたHigh-k膜の測定例 AN383
- RBSを用いたSi1-xGex膜の組成評価例 AN403
■ AES, Wafer AES (オージェ電子分光分析)
- ボンドパッドの性能評価 AN332
- AES分析によるサブミクロン表面欠陥の高速元素同定（ウェーハAES分析） AN340
- 0.3μmサイズの表面欠陥分析 AES分析vs EDS分析 AN341
200mm Siウェーハ上の0.3μmサイズのパーティクル分析例） - 0.2μmサイズの表面欠陥分析 AES分析vs EDS分析 AN342
プロセス後の0.2μmサイズのTi系異物分析例） - エッチングやクリーニングプロセス後の微小部分析 AN344
（バイアホールの側面汚染物や残留物の化学測定） - Siウェーハ上の様々なパーティクル組成の検討（ウェーハAES分析） AN429
（200mmウェーハと300mmウェーハ上のパーティクル原因の検討） - FIBを搭載した300mm ウエハAESによる、試料内部のC汚染の同定」AN430
- AES分析によるフロロカーボン汚染の同定（ウェーハAES分析） AN431
（300mmウェーハ上のフロロカーボン汚染の分析例） - 300mmウエハAESによるフロロカーボン汚染の分析事例」AN431
- FIBとAES分析によるステンレスパーティクル同定（ウェーハAES分析） AN432
- ステンレス保護膜の微小腐食部分析 BN1500
■ XPS/ESCA (X線光電子分光分析)
- Cu配線の評価事例 AN192
- 多層厚膜の物理的かつ化学的な特性評価 AN353
- XPSによるGaAsウエハ表面の酸化状態の評価例 AN377
- HfO2膜の組成及びストイキオメトリー AN400
- XPSによる正確なSiON膜厚とNドーズ量評価例 AN412
- XPSによるSiウエハ面内のSiON膜の膜厚均一性とNドーズ量評価 AN413
- XPSによる薄いHfO2膜の膜厚、組成及び不均一性の評価 AN415
- XPSによる薄いHfSiO膜の膜厚、組成及び不均一性の評価 AN416
- XPSによる酸化膜厚の評価 AN425
- マイクロXPSによる浸食化学性質の評価 BN1405
- 洗浄効果の評価 BN1422
- コンタクトレンズ； 設計の最適化に重要な表面化学状態の理解 BN1503
- XPSによる使い捨て手袋の測定例 BN1423
形態観察/構造解析 （形状、膜厚、構造、欠陥観察、結晶性、結合状態など）
■ TEM(透過型電子顕微鏡)
- EELSを用いた極多層薄膜分析 AN450
- 高分解能TEM(HRTEM)を用いた極薄膜の膜厚評価 AN451
■ AFM/SPM/SCM (原子間力顕微鏡/走査型プローブ顕微鏡/走査型容量顕微鏡)
- Si/SiGe中の歪Siの高深さ分解能SIMS分析 AN408
－SiGe層からSiキャップ層へのGe外方拡散SIMS分析－ - AFMによる歪Si中の貫通転位の検出 AN409
- ポリマー表面の改質 BN1210
- ヒドロゲルのコーティングのイメージング分析 BN1424
■ μFTIR (フーリエ変換赤外分光分析)
- クリーンルーム環境下の有機物汚染 AN182
- Cuプロセス技術における各種評価法 AN192
- レンズ（光学材料）表面の有機汚染 AN346
- 汚染物の同定：Siウエハ上の繊維 AN362
- 汚染物の同定：デバイスピン上の白い粉 AN375
■ Ramam (ラマン分光分析)
- 半導体材料の結晶構造の調査－a-Si, c-Si, p-Siおよびμc-Siのラマンスペクトルの比較－ AN334
- 磁気ディスク上のダイヤモンドライクカーボン（DLC）分布分析 AN352
- 有機物汚染の化学組成の同定 AN376
- Si系デバイスの歪測定 AN395
- Si-SiGeの歪マッピング AN407
- ポリマー硬化の評価－ポリアミド酸からポリイミドへの硬化評価－ BN1394
その他分析手法
■ EDS
- 0.3μmサイズの表面欠陥分析 AES分析vs EDS分析 AN341
- 0.2μmサイズの表面欠陥分析 AES分析vs EDS分析 AN342
- SEM/EDS分析による自動パーティクル分析 AN379
- SEM/ESD分析による表面汚染の評価 BN1365
■ FIB
- Cuプロセス技術における各種評価法 AN192
- ウエハAES(12インチウエハまで対応可能)によるＳｉウエハ上の異物分析 AN340
- FIB加工 AN364
- AES+FIBによるＳｉ上メタル配線中の異物分析 AN432
- Agコーティングフィルムの膜厚均一性の観察 BN1333
- FIBによる金属表面の粒径（グレインサイズ）観察 BN1345
■ GC/MS
- クリーンルーム環境下の有機物汚染 AN182
- 医療用デバイスにおける残留物質の同定 BN1502
