イオンスパッタリングスタンダード（AES用深さ方向スタンダード）仕様
イオンスパッタリングキャリブレーションとして使用できます。AES分析以外にも使用可能です。
| １．ISC-SIO2-200 | SiO2膜(約20nm)/Si基板(4インチ径) |
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| ２．ISC-SIO2-500 | SiO2膜(約50nm)/Si基板(4インチ径) |
| ３．ISC-SIO2-1K | SiO2膜(約100nm)/Si基板(4インチ径) |
SiO2膜は、Si基板上に湿式酸化処理により堆積。
- SiO2膜の面内ばらつき：±1%未満。（ISC-SIO2-500の場合は、面内ばらつきが±5％未満になります。）
- 表示膜厚の精度：±5％未満
なお、各試料の表示膜厚は、ロットによって変更する場合あり。(お問い合わせください)
| ４．ISC-SIN-1K | Si3N4膜(約100nm) / Si基板(1×3cm) |
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SiN膜は、CVD法によってSi基板に堆積されています。
| ５．ISC-TA2O5 | Ta2O5膜(約100nm) / Ta基板(37×37mm) |
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Ta酸化膜は陽極酸化によって形成されています。
Ta基板の厚さは、0.5mm厚のフォイル状の基板を使用しています。
Ta酸化膜厚の精度は、約5%。
| ６．NiCr-3 | Cr(60nm)/Ni(60nm)･･･12層・Si基板(1×3cm) |
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NISTトレーサブル対応試料です。
深さ分解能のキャリブレーションとして使用できます。
