TEM分析における試料作製方法
TEM観察は、電子線を試料に照射し（あて）、その透過する電子を磁界レンズで拡大することにより、試料中の構造を観察する手法です。そのため、その試料は事前に試料を電子が透過するように、薄片化する必要があります。Siのような軽い元素の試料では、1～2μm程度の厚さであっても、像を得ることはできますが、一般に良好なTEM像を得るためには、0.1～0.2μmぐらいに試料を薄片化する必要があります。
一般的なTEM試料作製法
| 手法 | 内容 | 主な用途 |
|---|---|---|
| FIB(集束イオンビーム)法 | FIB（Focused Ion Beam）を用いて、特定箇所を薄片化し、TEM試料とする。 |
デバイスの特定箇所の分析など |
| イオンミリング法 | 主にArなどのイオンビームを用い、試料をある程度機械的に薄くしたのち、最終仕上げとしてイオンビームを用い薄片化するもの。 | 特に特定箇所を狙う必要のない半導体材料など |
| 電解研磨法 | 主に導電材料の金属等に使われ、電解液中での試料の酸化、酸化物エッチング反応を利用し、試料を薄片化する方法。 | 金属材料 |
| ミクロトーム法 | ダイヤモンドナイフなどで、試料表面を薄く切り取り、TEM試料とするもの。 | 生体材料、有機材料など |
| 粉砕法 | へき開性を持つなどの材料に使われる。試料を粉砕することにより薄片試料を作り、グリッド上にすくい取ることによりTEM試料とする。 | 超伝導材料など |
| 分散法 | 粉末試料などを、粉砕法と同様グリッド上に直接すくい取り、TEM試料とするもの。 | 大きさ0.1～0.2μm以下の粉末材料 |
■ FIB法
■ イオンミリング法
