表面分析受託サービスのナノサイエンス

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Siウェーハ上の金属汚染分析について (Surface-SIMS, TXRF)

全反射蛍光X線分光分析（TXRF: Total Reflection X-Ray Fluorescence）

■ 特徴

• SからUまで一度に分析可能（サーベイ分析）
• 軽元素やLi, Na, K, Alは検出不可
• 検出下限：E9-10(atoms/cm2)
• フルウェーハ分析が可能（100-300mmmまで）
• 2次元マッピングが可能
• ASTM Method（F1526-95）
• 精度：～20% RSD
• 分析可能な基板：Si, SiO2, GaAsなど。

典型的なスペクトル

TXRF分析の装置レアウト

TXRF分析の原理図

■ 分析例：Siウェーハ表面のCu汚染面内評価

TXRF分析はウェーハ全体をマッピングすることが出来ます。
中心部は3e9at/cm2以下、汚染部は2e13at/cm2のCu汚染が検出されています。
一方、 VPD-ICPMSではウェーハ全体の平均汚染量（Cu: 1e11 at/cm²）が求まります。
目的に応じて、二つに分析手法を使い分けることが大切です。