Siウェーハ上の金属汚染分析について(VPD- ICPMS)
気相分解 誘導結合プラズマ質量分析(Vapor Phase Decomposition ICP-MS）
■ 長所
- Li～Uまで一度に測定可
- 分析エリアが増えると、検出下限が向上する
- ウェーハ全体の平均濃度が得られる
- 108-109 at/cm2程度まで高感度
- 非破壊分析
■ 制限
- 不純物の回収効率は金属不純物のドロップレットへの溶解度に依存する
− すべての元素の回収率は100%と仮定している - 表面汚染の場所情報は得られない
- パターンウェーハは不可
- 表面汚染の種類の情報は得られない（パーティクル? 面内不均一?）
1）自然酸化膜または薄い酸化膜をHFで分解
2）ドロップレットの自動運転
3）ドロップレットをICPMS分析
分析例：VPD-ICPMS分析
VPD-ICPMSはウェーハ全体の平均汚染濃度を一度に測定できます。
プロセス装置内やクリーンルームの雰囲気からの汚染量を求めることに適しています。この分析手法ではTXRFでは測定できないAlなども測定可能です。
